由于紫外輻射對有機體與無機體都有強烈的影響，因而在工業(yè)、農(nóng)業(yè)、醫(yī)藥衛(wèi)生、以及環(huán)境監(jiān)測領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，相應(yīng)地也催生了龐大的紫外線傳感器件及其應(yīng)用產(chǎn)品市場。面向高端紫外傳感應(yīng)用的迫切需求，鎵芯光電主要研發(fā)和生長基于新一代寬帶半導(dǎo)體材料的高性能紫外光傳感器。
目前，按照所使用半導(dǎo)體材料禁帶寬度的不同，半導(dǎo)體紫外傳感器件可分為兩大類：一類是基于常規(guī)半導(dǎo)體材料（如：Si、GaAs、InP等）的光電二極管，另一類則是基于新型寬禁帶半導(dǎo)體（如：GaN、SiC等）的光電二極管?；诔Ｒ?guī)半導(dǎo)體材料的光電二極管技術(shù)已經(jīng)較為成熟，但由于這些半導(dǎo)體材料的禁帶寬度比較小，所對應(yīng)探測器的響應(yīng)截止邊一般都位于可見光波段。因此，要想使這些光電二極管有選擇性地工作在紫外波段，則需要在這些探測器上加裝特殊設(shè)計的、價格很貴的濾波片（filter）。
由于太陽光到達地面的輻射中，可見光是普通紫外光（365 nm）強度的104倍以上，上述提到的濾波片需要具有很高的抑制比，制作難度較高。此外，這些濾波片在過濾掉高強度可見光的同時，還會濾掉相當部分需要探測的紫外光，導(dǎo)致加裝濾波片的紫外探測系統(tǒng)量子效率大為降低。相比之下，鎵芯光電所開發(fā)的基于新型寬禁帶半導(dǎo)體的光電二極管技術(shù)恰恰可以有效解決以上問題。
以碳化硅（SiC）和III族氮化物為代表的寬禁帶半導(dǎo)體是近年來國內(nèi)外重點研究和發(fā)展的新型半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、導(dǎo)熱性能好、電子飽和漂移速度高以及化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)等特點，用于耐高溫、高效能的高頻大功率器件以及工作于紫外波段的光探測器件，具有顯著的材料性能優(yōu)勢。其中SiC材料體系中的4H-SiC半導(dǎo)體，其禁帶寬度為3.23 eV，是制備可見光盲紫外探測器（響應(yīng)邊<400 nm）的優(yōu)選材料；而III族氮化物體系的(Al)GaN材料，其帶寬可隨Al組分的變化在3.4～6.2 eV之間連續(xù)改變，對應(yīng)光吸收波長變化范圍為200~365 nm，覆蓋了大氣臭氧層吸收日盲區(qū)（240~280 nm），特別適合制備新一代的日盲深紫外探測器?；趯捊麕О雽?dǎo)體的光電傳感器器與傳統(tǒng)的硅基紫外傳感器相比具有明顯的優(yōu)勢。
主要優(yōu)點包括：1.更高的靈敏度；2.可直接實現(xiàn)可見光盲或日盲操作、無需加增濾光片；3.可在高溫、強輻射等惡劣環(huán)境下工作。
